模拟电子技术基础第四版童诗白华成英主编课后习题答案详解
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模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案预览 ：第一章常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( )
(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( )
(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( )
(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的.耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( )
(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。( )
解：(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. ISeU B. TUUIeS C. IS(eU UT-1)
(3)稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(4)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
解：(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
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