半导体物理学试题及答案

时间：2022-11-23 02:19:11 期末试题我要投稿

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半导体物理学试题及答案

　　半导体物理学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解，而且由此而产生的各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等已得到广泛的应用。以下是由阳光网小编整理关于半导体物理学试题的内容，希望大家喜欢!

半导体物理学试题及答案

　　半导体物理学试题及答案(一)

　　一、选择题

　　1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。

　　A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子

　　2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。

　　A、电子和空穴 B、空穴 C、电子

　　3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。

　　A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子

　　4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。

　　A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱

　　5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。

　　A、相同 B、不同 C、无关

　　6、杂质半导体中的.载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。

　　A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小; D、变大，变大。

　　7、砷有效的陷阱中心位置(B )

　　A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级

　　8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。

　　A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0

　　9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。

　　A、多子积累 B、多子耗尽

　　C、少子反型 D、平带状态

　　10、金属和半导体接触分为：( B )。

　　A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触

　　B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

　　C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触

　　D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

　　11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。

　　A、 1/e B、 1/2 C、 0 D、 2/e

　　12、载流子在电场作用下的运动为( A )，由于浓度差引起的运动为( B )。

　　A、漂移运动 B、扩散运动 C、热运动

　　13、锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。

　　A、金刚石型和直接禁带型 B、闪锌矿型和直接禁带型

　　C、金刚石型和间接禁带型 D、闪锌矿型和间接禁带型

　　14、非简并半导体是指( A )的半导体。

　　A、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

　　B、用费米分布计算载流子浓度

　　15、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B)，并且该乘积和(D)有关，而与( C )无关。

　　A、变化量; B、常数; C、杂质浓度和杂质类型; D、禁带宽度和温度

　　半导体物理学试题及答案(二)

　　一、名词解释(本大题共5题每题4分，共20分)

　　1、受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。

　　2、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。

　　3、空穴：当满带顶附近产生P0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量mp，速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。

　　4、过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴△p=p-p0称为过剩载流子。

　　5、费米能级、化学势

　　答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的'化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。

　　二、选择题(本大题共5题每题3分，共15分)

　　1、对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与(D )

　　A、平衡载流子浓度成正比 B、非平衡载流子浓度成正比

　　C、平衡载流子浓度成反比 D、非平衡载流子浓度成反比

　　2、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：

　　含铝1×10-15cm-3 乙、含硼和磷各1×10-17cm-3 丙、含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是(C )

　　A、甲乙丙 B、甲丙乙 C、乙甲丙 D、丙甲乙

　　3、有效复合中心的能级必靠近( A )

　　A、禁带中部 B、导带 C、价带 D、费米能级

　　4、当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于(C )

　　A、1/n0 B、1/△n C、1/p0 D、1/△p

　　5、以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D )