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半导体器件试题(一)
半导体器件期末试题(一)
一、(10 分)在下图中画出发射区、基区和收集区少子分布示意图,
说明晶体管的工作模式和工作条件。
二、(20 分)求p-n 结长二极管n 区和p 区的少子分布,电流分布In
(x)、Ip(x)和总电流I。
三、(10 分)用费米能级恒定的观点解释平衡p-n 结空间电荷区的形
成。画出空间电荷取得示意图和平衡p-n 界的能带图。
四、(10 分)导出饱和电流I0 对温度T 的依赖关系。
五、(10 分)说明VTH=Фms+ΨSi-Q0/C0-QB/C0 中的各项物理意义,如果器
件为n 沟MOST,判断上式右端各项的正负号。
六、(10 分)画出能带图,说明发光管的工作原理。
七、(10 分)画出结型场效应晶体管小信号等效电路图,证明其截至
频率为fco=gm/2πCG。式中gm 和CG 分别为跨导和栅电容。
七、(10 分)画出结型场效应晶体管小信号等效电路图,证明其截至
频率为fco=gm/2πCG。式中gm 和CG 分别为跨导和栅电容。
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