半导体集成电路试题及答案一

时间：2022-11-23 06:28:36 期末试题我要投稿

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半导体集成电路试题及答案（一）

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半导体集成电路试题及答案（一）

半导体集成电路试题及答案

　　PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么?

　　需要六次光刻，第一次—N+隐埋层扩散孔光刻;第二次—P+隔离扩散孔光刻;第三次—P型基区扩散孔光刻;第四次—N+发射区扩散孔光刻;第五次—引线接触孔光刻;第六次—金属化内连线光刻。

　　简述硅珊P阱CMOS工艺流程，每次光刻的目的是什么?

　　十次光刻：⑴光I—阱区光刻，刻出阱区注入孔;⑵阱区注入及推进，形成阱区;⑶去除SiO2,长薄氧，长Si3N4;⑷光II—有源区光刻，刻出P管、N管得源、漏和栅区;⑸光III—N管场区光刻，刻出N管场区注入孔;⑹长场氧;⑺光IV—P管区光刻，调节PMOS管开启电压，然后长对晶硅;⑻光V—多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻;⑼光VI—P+区光刻，刻去P管区上的胶;⑽光VII—N+区光刻，刻去N+区上的胶;⑾长PSG;⑿光VIII—引线孔光刻;⒀光IX—铝引线光刻;⒁光X—压焊块光刻。

　　实际集成电路中的双极晶体管为四层三结结构

　　集成NPN晶体管中的寄生电容有哪几种?

　　寄生可分以下三类：①与PN结有关的耗尽层势垒电容;②与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容;③电极引线的延伸电极电容

　　在集成电路中常用的PNP管主要有两大类：横向PNP管和衬底PNP管

　　存在纵向PNP管的影响，这个影响是怎么形成的?

　　为了减小寄生PNP管的影响，提高横向空穴注入的比例，可以从版图和工艺上采取如下措施：⑴在图形设计上减少发射区面积和周长之比;⑵另外，为了使集电极尽可能多的收集到从发射区侧向注入的空穴，在设计横向PNP管时，应该将集电区包围发射区;⑶在工艺上可采用增大结深及采用埋层工艺等办法

　　横向PNP管ft小的原因?

　　⑴横向PNP管的有效平均基区宽度WBL大;⑵埋层的抑制作用，使折回集电极的少子路程增加;⑶空穴的扩散系数只有电子扩散系数的1/3

　　对SBD和SCT的设计中最主要的是：对SDB的VMS以及SBD的面积和击穿电压的设计。

　　自锁产生的条件及防止自锁的办法?

　　产生条件：①外界因素使两个寄生三极管的EB结处于正向偏置;②两个寄生三极管的电流放大倍数βNPNβPNP>1;③ 电源所提供的最大电流大于寄生可控硅导通所需要的维持电流IH;;;;消除办法：版图设计;工艺考虑;其他措施(注意电源退耦，此外还要注意对电火花钳位;防止寄生三极管的EB结正偏;电源限流)

　　伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在四种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?

　　试分析COMS电路产生Latch-up效应(自锁)的原因，通常使用哪些方法来防止或抑制Latch-up效应

　　基区扩散电阻最小条宽的设计受到三个限制，：

　　①由设计规则决定的最小扩散条宽Wmin;②由工艺水平和电阻精度决定的最小电阻条宽WR,min;③由流经电阻的最大电流所决定的WR,min

　　集成电路的内连线有：铝连线、扩散区连线、多晶硅连线、铜连线、交叉连线

　　LSTTL电路的版图设计步骤：划分隔离区、基本设计条件的确定、各单元的图形设计、布局、布线

　　TTL集成电路有哪些系列，他们各有什么特点及优缺点?

　　STTL和LSTTL,，，LSTTL实现了高速度和低功耗的良好结合：采用高阻值电阻使功耗PD下降为标准TTL门的1/5左右;;ASTTL和ALSTTL电路，速度更高，功耗更低

　　试说明ECL电路的工作速度高于TTL电路的主要原因?

　　发射极耦合逻辑(ECL)集成电路，他工作时晶体管在放大和截止两个状态间转换，不进入饱和区，这就从线路结构和设计上根除了常规TTL电路中晶体管由饱和到截止状态(即由开转关)时所需释放超量存储电荷的“存储时间”，加上各点电平变化幅度小，也没有STTL电路因采用SBD钳位而带来的'附加寄生电容，因而ECL电路的速度很高。

　　试画出I2L电路的基本单元门的电路图、版图和结构草图，并说明它在发展LSI中所起到的作用?

　　设计地线时应注意以下几点：⑴接地点必须进行N+磷扩散;⑵接地点和各单元大致对称;⑶尽量减小地线的电阻

　　CMOS反相器设计采用两种准则：对称波形设计准则;准对称波形准则。

　　十二章，精密匹配电流镜能达到精密匹配是由于采用以下几个措施：①增加了T3射随器缓冲，改善了IB引入的电流传输差;②利用R1=R2的负反馈，减小ΔVBE引入的电流差;③为抵消IB3的影响，在T2的集电极增加射极跟随器T4，利用T4的,抵消IB3，进一步提高了Ir和Io的对称性

　　采用有源负载的放大器的优点?

　　⑴有源负载的交流阻抗rAC很大，所以使每级放大器的电压增益AV提高。因而可以减少放大器的级数。简化频率补偿;⑵有源负载的直流电阻RDC很小，所以为获得高的电压增益AV不需要很高的电源电压，因而有源负载放大器可以在低压、小电流下工作;⑶运放采用有源负载差分输入级，可不需要额外原件，即可实现“单端化”

　　集成运放有四部分组成：差分输入级、中间增益级、推挽输出级和各级的偏置电路。

　　模拟集成电路对输出级的要求主要是：①输出电压或输出电流幅度大，能向负载输出规定数量的功率，而且静态功耗小;②输入阻抗高、输出阻抗低，在前级放大器和外接负载间进行隔离;③能满足频率响应的要求;④具有过载和短路保护。

　　集成运放的版图设计过程与数字集成电路一样，也分为几个步骤：1划分隔离区;2元器件图形和尺寸设计(晶体管的图形尺寸;电阻的设计;电容的设计);3布局和布线(力求原件排列紧凑减小寄生效应影响;对要求对称的元件尽量对称;采用热设计的方法;引出端的排列应与通用运算放大器的统一标准一致)

　　适合于单片集成电路的基本D\A变换电路，根据其工作原理，可分三类：①电流定标电路;②电压定标电路;③电荷定标电路

　　集成电路设计包括逻辑设计、电路设计、版图设计和工艺设计。通常有两种设计途径：正想设计和逆向设计。。I正向设计流程：⑴根据功能要求进行系统设计(画出框图);⑵划分成子系统进行逻辑设计;⑶有逻辑图或功能块功能要求进行电路设计;⑷由电路图设计版图，根据电路及现有工艺条件，经模拟验证再绘制总图;⑸工艺设计，如原材料选择，设计工艺参数，工艺方案，确定工艺条件，工艺流程;II逆向设计：提取横向尺寸;提取纵向尺寸;测试产品的电学参数;

　　通常可把版图设计规则分成两种类型：第一“自由格式”第二“规整格式”

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